特許
J-GLOBAL ID：200903024238824933
薄膜太陽電池の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-266387
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120545
出願日： 1992年10月06日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】XYZ2 ( XがCuあるいはAg、YがInあるいはGa、ZがSeあるいはS) カルコパイライト型三元化合物薄膜の表面から成膜後の冷却時にZ元素が脱離する問題を解決する。【構成】XYZ2 薄膜成膜後、被成膜基板をZ雰囲気中で冷却することによりZの脱離を防ぐか、成膜時の基板温度より高い温度にして脱離したZを補充する。三元同時蒸着法で成膜する場合は、成膜後の冷却時にXおよびY蒸発源のシャッタは閉じ、Z蒸発源のシャッタのみ開いておけばよい。なお、ZがSeである場合、Se雰囲気中での基板の冷却は、Seの融点以上である250 °C以上で停止する。これにより、例えばCuInSe2 薄膜を活性層として用いた太陽電池の変換効率を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
化学式XYZ2 を有し、Xが銀あるいは銅、Yがインジウムあるいはガリウム、Zがセレンあるいは硫黄であるカルコパイライト型三元化合物薄膜を活性層に用いた薄膜太陽電池の製造方法において、XYZ2 薄膜成膜後Zを含む雰囲気中で処理することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
引用特許：
前のページに戻る
