特許

J-GLOBAL ID：200903024268019997

多段インプリントリソグラフィ

発明者： パヴェル・コーニロヴィッチ ,  ヨン・チェン ,  ダンカン・ステワート ,  アール・スタンレイ・ウィリアムズ ,  フィリップ・ジェイ・クエケス ,  メーメット・ファティー・ヤニク
出願人/特許権者： ヒューレット-パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.
代理人 (3件)： 古谷 聡 ,  溝部 孝彦 ,  西山 清春
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-153541
公開番号（公開出願番号）：特開2004-363584
出願日： 2004年05月24日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：

【課題】ナノメートルサイズの電子回路において特定のマイクロワイヤを特定のナノワイヤに接続する方法を提供する。【解決手段】ナノワイヤと、マイクロワイヤおよびリソグラフィで作成された電子回路のその他の素子との間に制御された接続が提供される。インプリントスタンプは概ね平行なナノワイヤのアレイを形成するように構成される。ナノワイヤは(1)X方向においてマイクロスケールの寸法を有し、(2)Y方向においてナノスケールの寸法とナノスケールの間隔とを有し、Z方向において3以上の異なる高さを有する。特定のナノワイヤをマイクロスケールのワイヤまたはパッドの特定のマイクロスケールの領域に接続が可能になる。モールドの突出パターンは薄いポリマーフィルムに溝を形成し、ポリマーフィルムはモールドのパターンの反転したものを得る。モールドを外した後、そのポリマーパターンを基板上の金属/半導体パターンに転写することができる。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

(1)X方向においてミクロンスケールの寸法を有し、(2)Y方向においてナノメートルスケールの寸法およびナノメートルスケールの間隔を有し、(3)Z方向において少なくとも3つの異なる高さ(12a,12b,12c)を有する概ね平行なナノワイヤ(118a,118b)を作成するための突出パターン(110a,110b)を有するモールド(110)。

IPC (3件)：

H01L21/027 ,  B82B3/00 ,  H01L21/3205

FI (3件)：

H01L21/30 502D ,  B82B3/00 ,  H01L21/88 B

Fターム (11件)：

5F033HH04 ,  5F033HH06 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH25 ,  5F033LL04 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ41 ,  5F046AA28

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第6,256,767号明細書
  

審査官引用 (1件)

• スタンパとスタンパを用いたパターン転写方法及び転写パターンによる構造体の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-224327   出願人：株式会社日立製作所