特許
J-GLOBAL ID:200903024273749340

磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴木 章夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-140038
公開番号(公開出願番号):特開平8-315325
出願日: 1995年05月15日
公開日(公表日): 1996年11月29日
要約:
【要約】【目的】 磁気抵抗効果(MR)ヘッドのMR層と軟磁性バイアス層とをそれぞれ個別に最適な縦バイアス状態に設定することを可能としてMRヘッドの感度の向上を図る。【構成】 MR層5と、磁気分離層4と、MR層に横方向バイアス磁界を印加する軟磁性バイアス層3と、MR層及び前軟磁性バイアス層に縦方向バイアス磁界を印加する縦方向バイアス印加層6,7,8と、センス電流を供給するための電極層9を有しており、縦方向バイアス印加層6,7,8を磁気分離層を挟んだ複数の磁界印加膜の積層体として構成する。複数の磁界印加膜はそれぞれ逆方向に着磁され、MR層と軟磁性バイアス層の初期状態における磁化の向きが縦方向に対して反平行に保持され、MR層と軟磁性バイアス層をそれぞれ個別に最適な縦バイアス状態に設定して感度を向上する。
請求項(抜粋):
磁気抵抗効果層と、磁気分離層と、前記磁気分離層を介して前記磁気抵抗効果層に積層され前記磁気抵抗効果層に横方向バイアス磁界を印加する軟磁性バイアス層と、前記磁気抵抗効果層及び前軟磁性バイアス層に縦方向バイアス磁界を印加する縦方向バイアス印加層と、センス電流を供給するための電極層を有する磁気抵抗効果ヘッドにおいて、前記縦方向バイアス印加層が磁気分離層を挟んだ複数の磁界印加層の積層体として構成されることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
IPC (2件):
G11B 5/39 ,  G11B 5/245
FI (2件):
G11B 5/39 ,  G11B 5/245
引用特許:
審査官引用 (1件)

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