特許

J-GLOBAL ID：200903024275336744

メゾポーラス酸化膜の形成方法及びデュアルダマシン構造の形成方法

発明者： ロバート ピー. マンダル
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-113148
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075983
出願日： 2001年04月11日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 メゾポーラス酸化膜形成方法及びデュアルダマシン構造形成方法【解決手段】 本発明は、概して、低い誘電率の膜を基板上に堆積する方法及び装置を提供する。低い誘電率の膜はリンドープのメゾポーラス酸化膜である。この膜は、リン含有ゾルゲル前駆物質を堆積及びキュアして、均一直径の相互接続孔を有する酸化膜を形成し、次に、不活性ガス雰囲気中で膜をアニールするか、反応性酸素種を含む酸化雰囲気へ膜を露出して、リンドープのメゾポーラス酸化膜を形成することによって形成される。

請求項（抜粋）：

基板上にメゾポーラス酸化膜を形成する方法であって、ケイ素酸素化合物と、リン含有酸溶液と、有機溶媒と、水と、界面活性剤とを有するゾルゲル前駆物質を形成するステップと、ゾルゲル前駆物質を基板上に堆積するステップと、堆積されたゾルゲル前駆物質をキュアして酸化膜を形成するステップと、界面活性剤を除去するプロセスに酸化膜を曝露してメゾポーラス酸化膜を形成するステップとを有する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 P ,  H01L 21/90 A

Fターム (59件)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK19 ,  5F033KK32 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ71 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR14 ,  5F033RR21 ,  5F033RR29 ,  5F033SS15 ,  5F033TT04 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033XX00 ,  5F033XX01 ,  5F033XX05 ,  5F033XX24 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-268043
  
• 多孔質のケイ素酸化物塗膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-102446   出願人：旭化成株式会社