特許

J-GLOBAL ID：200903024297413971

銅薄膜の気相成長装置

発明者： 呉屋 真之 ,  西森 年彦 ,  坂本 仁志
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-108120
公開番号（公開出願番号）：特開2001-295046
出願日： 2000年04月10日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【課題】 安価な塩素または塩化水素を原料ガスとして用いて成膜速度が速く、かつ不純物が残留し難い膜質が良好でかつ目的とする膜厚を有する銅薄膜を形成することが可能な銅薄膜の気相成長装置を提供する。【解決手段】 内部に被処理基板が配置される反応容器と、前記反応容器内に配置され、複数の噴射孔が穿設された銅製噴射板を有する導入容器と、前記銅製噴射板に設けられた温度制御手段と、前記導入容器内に挿入され、塩素または塩化水素を供給するための原料ガス供給管と、前記導入容器内に塩素または塩化水素のプラズマを発生するためのプラズマ発生手段と、前記反応容器内の少なくとも前記被処理基板近傍に原子状還元ガスを生成するための原子状還元ガス生成手段と、前記反応容器内および前記導入容器内のガスを真空排気するための真空排気手段とを具備したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

内部に被処理基板が配置される反応容器と、前記反応容器内に配置され、複数の噴射孔が穿設された銅製噴射板を有する導入容器と、前記銅製噴射板に設けられた温度制御手段と、前記導入容器内に挿入され、塩素または塩化水素を供給するための原料ガス供給管と、前記導入容器内に塩素または塩化水素のプラズマを発生するためのプラズマ発生手段と、前記反応容器内の少なくとも前記被処理基板近傍に原子状還元ガスを生成するための原子状還元ガス生成手段と、前記反応容器内および前記導入容器内のガスを真空排気するための真空排気手段とを具備したことを特徴とする銅薄膜の気相成長装置。

IPC (4件)：

C23C 16/14 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

C23C 16/14 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 Z ,  H01L 21/88 M

Fターム (15件)：

4K030AA02 ,  4K030BA01 ,  4K030EA01 ,  4K030FA04 ,  4K030HA12 ,  4K030JA10 ,  4K030KA22 ,  4M104BB04 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104HH20 ,  5F033HH11 ,  5F033PP12 ,  5F033XX00 ,  5F033XX34

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-126870
  
• 特開平3-020484
  
• 半導体薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-059495   出願人：三洋電機株式会社
• 薄膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-245565   出願人：松下電器産業株式会社