特許

J-GLOBAL ID：200903024298789304

化合物半導体の結晶成長方法

発明者： 菅 康夫
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-287044
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100640
出願日： 2001年09月20日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】 MBE法における、精密な結晶組成の制御および装置ごとの互換性、設定の再現性の問題点を解決する。【解決手段】 MBE法による化合物半導体の結晶成長において、成長膜の物性定数を元に、セル温度と分子線量の相関を決め、該相関を用いてフラックス測定の補正を行い、該補正を用いてセル温度を設定することを特徴とする化合物半導体の結晶成長方法。成長膜の物性定数としては、成長膜と基板との格子不整合率、成長膜のフォトルミネッセンス波長や成長膜の吸収端波長が用いられる。

請求項（抜粋）：

MBE法による化合物半導体の結晶成長において、成長膜の物性定数を元に、セル温度と分子線量の相関を決め、該相関を用いてフラックス測定の補正を行い、該補正を用いてセル温度を設定することを特徴とする化合物半導体の結晶成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/203 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/40 502 ,  H01S 5/323

FI (4件)：

H01L 21/203 M ,  C30B 23/08 M ,  C30B 29/40 502 K ,  H01S 5/323

Fターム (19件)：

4G077AA03 ,  4G077BE47 ,  4G077DA05 ,  4G077EH06 ,  4G077SC05 ,  5F073CA12 ,  5F073CA13 ,  5F073DA06 ,  5F073EA29 ,  5F103AA04 ,  5F103BB04 ,  5F103BB57 ,  5F103DD01 ,  5F103DD05 ,  5F103DD08 ,  5F103HH03 ,  5F103LL03 ,  5F103NN10 ,  5F103RR04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-103393
  
• 特開昭50-118976
  
• 単結晶薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-248048   出願人：沖電気工業株式会社