特許
J-GLOBAL ID：200903058065887405
単結晶薄膜の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-248048
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092619
出願日： 1995年09月26日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：
【要約】【課題】 基板毎に連続して単結晶薄膜を形成しても作業効率が良く優れた膜厚を有する単結晶薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】 先行する第1基板に対して格子不整合率の大きい第1物質と第1物質より格子不整合率が小さいかまたは第1基板と格子定数が同一の第2物質とを周期的にエピタキシャル成長させて第1超格子構造を形成する工程(109)と、第1超格子構造の上側に第2物質の第1単結晶薄膜を成長させて第1積層構造体を形成する工程(111)と、第1積層構造体に対しX線回折測定を行なって第1および第2物質の成長レートを求める工程(115)と、新たに処理されるべき第2基板上に、第1および第2物質のそれぞれの成長レートを基準にして第2超格子構造を形成する工程(119)と、第2超格子構造の上側に、第2物質の成長レートを基準にして第2物質の第2単結晶薄膜を成長させて第2積層構造体を形成する工程(121) とを含む。
請求項（抜粋）：
同一の分子線エピタキシャル(MBE)成長装置を用いて各基板上に単結晶薄膜を、それぞれ形成する処理を基板毎に連続して行なう単結晶薄膜形成方法において、(a)先行する第1基板に対して格子不整合率の大きい第1物質と該第1物質より格子不整合率が小さいかまたは前記第1基板と格子定数が同一の第2物質とを周期的にエピタキシャル成長させて第1超格子構造を形成する工程と、(b)該第1超格子構造の上側に前記第2物質の第1単結晶薄膜を成長させて第1積層構造体を形成する工程と、(c)該第1積層構造体に対しX線回折測定を行なって前記第1および第2物質の成長レートを求める工程と、(d)新たに処理されるべき第2基板上に、前記第1および第2物質のそれぞれの成長レートを基準にして第2超格子構造を形成する工程と、(e)該第2超格子構造の上側に、前記第2物質の成長レートを基準にして前記第2物質の第2単結晶薄膜を成長させて第2積層構造体を形成する工程とを含むことを特徴とする単結晶薄膜の形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/203
, H01L 21/20
, H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
H01L 21/203 M
, H01L 21/20
, H01L 29/80 H
