特許

J-GLOBAL ID：200903024305061940

平面表示装置用アレイ基板の製造方法

発明者： 二ノ宮 利博
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-085103
公開番号（公開出願番号）：特開2001-272929
出願日： 2000年03月24日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】ガラス基板の熱膨張あるいは収縮に起因したパターニングのずれを防止し、点欠陥等の表示不良を生じることのない信頼性の高い多結晶シリコンTFTアレイ基板を製造可能な製造方法を提供することにある。【解決手段】 TFTアレイ基板の製造方法において、熱処理工程で生じるガラス基板の熱収縮または熱膨張等の変形を、熱処理工程の前に予め見積もった変形量だけパターン寸法を拡大または縮小して露光し、パターニングする。そして、熱処理後、前に形成したパターンに合わせて次のパターニングを行う。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上にマトリクス状に形成された走査線および信号線と、それぞれ上記走査線および信号線の交差部近傍に薄膜トランジスタを介して接続された複数の画素電極と、を備え、上記薄膜トランジスタは、多結晶シリコンからなるチャネル領域と、チャネル領域の両側に形成されたソース領域およびトレイ領域と、を有する半導体層と、上記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、を備えているアレイ基板の製造方法において、予め熱処理によるガラス基板の変形量を考慮し、上記変形量分だけ寸法を補正して第1パターンを形成する第1パターン形成工程と、上記ガラス基板を所定温度に加熱する熱処理工程と、上記熱処理工程後の第1パターンの寸法に合わせて第2パターンを形成する第2パターン形成工程と、を備えたことを特徴とする平面表示装置用アレイ基板の製造方法。

IPC (7件)：

G09F 9/30 338 ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/027 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

G09F 9/30 338 ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/30 502 G ,  H01L 29/78 612 D ,  H01L 29/78 627 C

Fターム (76件)：

2H088FA10 ,  2H088FA14 ,  2H088FA16 ,  2H088FA19 ,  2H088FA25 ,  2H088FA30 ,  2H088HA01 ,  2H088HA08 ,  2H088MA16 ,  2H090JB02 ,  2H090JD15 ,  2H090JD17 ,  2H090LA04 ,  2H092GA59 ,  2H092JA25 ,  2H092JA29 ,  2H092JA33 ,  2H092JA35 ,  2H092JA38 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092KA16 ,  2H092KA18 ,  2H092KB25 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  2H092PA01 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094EA03 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094FB02 ,  5C094FB14 ,  5C094GB01 ,  5F046DA07 ,  5F046DA13 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD08 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 液晶装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-086954   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 露光方法、露光装置、及びデバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-363989   出願人：株式会社ニコン
• 液晶電気光学装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-344402   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所