特許

J-GLOBAL ID：200903024305491707

窒化物半導体素子

発明者： 千代 敏明 ,  柴田 直樹 ,  伊藤 潤 ,  野杁 静代
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 小西 富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-178609
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176753
出願日： 1998年06月25日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【目的】 窒化物半導体素子において窒化物半導体の化学量論比が変化しないようにする。【構成】 窒化物半導体層と基板との間に窒素原子の拡散を防止するシリサイド層を介在させる。

請求項（抜粋）：

シリサイドの層と、該シリサイド層の上に形成される窒化物半導体の層とを備えてなる窒化物半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/12 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 29/14

引用特許：

審査官引用 (1件)

• III 族窒化物半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-275421   出願人：富士電機株式会社