特許

J-GLOBAL ID：200903024318999238

化学増幅型レジスト用保護膜材料

発明者： 渡辺 聡 ,  名倉 茂広 ,  丸山 和政 ,  石原 俊信
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-129020
公開番号（公開出願番号）：特開平8-305031
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【構成】 スルホン酸変性されたポリビニルアルコールなどの分子内にスルホン酸基を有し、芳香族基を有さない水若しくはアルカリ性水溶液に可溶な重合体を主成分とすることを特徴とする化学増幅型レジスト用保護膜材料を提供する。【効果】 本発明の保護膜材料は、化学増幅型レジスト材料の上層保護膜としての機能を有し、成膜性が良く、簡便で生産性が高く、再現性良くレジストパターンの形成を可能にし得るものである。従って、本発明材料を用いることにより、半導体集積回路を製造する際のフォトリソグラフィーのパターン形成時に安定して高精度の微細加工を行うことができる。

請求項（抜粋）：

分子内にスルホン酸基を有し、芳香族基を有さない水若しくはアルカリ性水溶液に可溶な重合体を主成分とすることを特徴とする化学増幅型レジスト用保護膜材料。

IPC (3件)：

G03F 7/11 503 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/11 503 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/30 575

引用特許：

審査官引用 (1件)

• フォトレジストオーバーコート材料及びレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-083400   出願人：信越化学工業株式会社