高周波電力増幅用半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長門侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-243269
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068556
出願日： 1999年08月30日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】高周波電力増幅器を構成するに好適な平衡特性に優れ、特にモノリシックに集積回路化するに適した素子構造(レイアウト構成)の高周波電力増幅用半導体装置を提供する。【解決手段】基本単位をなすトランジスタを電力増幅容量に応じてそれぞれ複数ずつ並列接続して複数の複合トランジスタを形成し、これらの複合トランジスタの対により前記高周波信号を平衡入力して電力増幅する増幅回路を形成する。特に複合トランジスタ間で対をなすトランジスタ1a,2a,1b,2b,〜1n,2nを半導体基板上にそれぞれ近接させて交互に並列配置して形成し、これらのトランジスタの各電極を前記各複合トランジスタ毎に共通接続する電極配線Lb1,Lb2,Lc1,Lc2を、前記トランジスタの配列方向に沿って設ける。

請求項（抜粋）：

高周波信号を平衡入力して電力増幅する複数のトランジスタを半導体基板上に集積形成してなる高周波電力増幅用半導体装置であって、前記半導体基板上に並列配置して形成される複数のトランジスタ・エレメントの各電極をそれぞれ共通接続したトランジスタを前記高周波信号に対して増幅作用を呈する基本単位とし、前記高周波信号に対する電力増幅容量に応じて複数のトランジスタをそれぞれ並列接続した複合トランジスタの対により、前記高周波信号を平衡入力して電力増幅する増幅回路を形成してなり、前記半導体基板上に、前記複合トランジスタ間で対をなすトランジスタ同士をそれぞれ近接させて交互に並列配置して形成し、これらのトランジスタの各電極を前記各複合トランジスタ毎に共通接続する電極配線を、前記トランジスタの配列方向に沿って設けたことを特徴とする高周波電力増幅用半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8222 , H01L 27/082 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H03F 3/195 , H03F 3/213

FI (4件)：

H01L 27/08 101 B , H03F 3/195 , H03F 3/213 , H01L 27/04 A

Fターム (46件)：

5F038CA02 , 5F038CA06 , 5F038DF01 , 5F038EZ20 , 5F082AA11 , 5F082BC03 , 5F082DA02 , 5F082DA06 , 5F082FA11 , 5F082GA02 , 5F082GA04 , 5J091AA04 , 5J091AA12 , 5J091AA21 , 5J091AA22 , 5J091AA41 , 5J091CA15 , 5J091CA88 , 5J091FA07 , 5J091FA16 , 5J091HA02 , 5J091KA02 , 5J091MA19 , 5J091QA03 , 5J091QA04 , 5J091SA14 , 5J091TA01 , 5J091UW08 , 5J092AA04 , 5J092AA12 , 5J092AA21 , 5J092AA22 , 5J092AA41 , 5J092CA15 , 5J092CA88 , 5J092FA07 , 5J092FA16 , 5J092HA02 , 5J092KA02 , 5J092MA19 , 5J092QA03 , 5J092QA04 , 5J092SA14 , 5J092TA01 , 5J092VL06 , 5J092VL08

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-039502 出願人：三洋電機株式会社
特開昭62-154910
特開昭62-150779

全件表示

前のページに戻る