半導体レーザおよびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-024974
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223972
出願日： 1997年02月07日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】高出力動作時に端面温度の上昇を抑えて、端面劣化を抑制し、高出力かつ高信頼性である等優れた特性を有する半導体レーザを工業的有利に提供する。【解決手段】半導体基板上に第一導電型クラッド層、量子井戸を含む活性層および第二導電型クラッド層を有する半導体レーザにおいて、該活性層は、共振器を形成する少なくともひとつの端面近傍が、構成元素の一部が脱離することにより発信波長に対して透明化されていることを特徴とする半導体レーザ。半導体基板上に第一導電型クラッド層、量子井戸を含む活性層および第二導電型クラッド層を有する半導体レーザの製造方法において、該半導体基板上に該第一導電型クラッド層、量子井戸を含む活性層および第二導電型クラッド層を形成した後、真空中で、共振器を形成する少なくとも一つの端面に光または電子線を照射することにより、端面近傍の領域を加熱し、蒸気圧の高い元素を選択的に再蒸発させて、該活性層の端面近傍に発信波長に対して透明化された領域を形成することを特徴とする半導体レーザの製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第一導電型クラッド層、量子井戸を含む活性層および第二導電型クラッド層を有する半導体レーザにおいて、該活性層は、共振器を形成する少なくともひとつの端面近傍が、構成元素の一部が脱離することにより発信波長に対して透明化されていることを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-297187
特開平4-364085
特開平3-089585

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