特許
J-GLOBAL ID：200903024326915612
中性粒子加工方法およびその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-135126
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326039
出願日： 1993年05月14日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】 ECRプラズマ生成や生成されたプラズマ流に影響を与えること無く、荷電粒子を効果的に除去できるようにすることを目的とする。【構成】 荷電粒子除去用永久磁石51により、カプス型反転磁場が試料台8近傍に形成され、これによりプラズマ流5は試料台8領域以外にその進路を曲げられて除去される。そして、荷電粒子除去用永久磁石51による磁力線が試料基板7を横切る部分の上にマスク53を配置して、試料基板7への荷電粒子の進入を防ぐようにしている。
請求項（抜粋）：
ガスを導入してプラズマを発生させるプラズマ生成室と、加工対象の試料基板を配置した試料室と、前記プラズマ生成室で発生したプラズマを前記試料室にプラズマ流として引き出すプラズマ引き出し手段と、前記プラズマ流中の荷電粒子を前記試料基板に到達しないようにする荷電粒子除去機構とを備え、前記プラズマ流で生成される中性粒子流を前記試料基板に照射する中性粒子加工装置において、前記荷電粒子除去機構は、前記試料基板上にこの試料基板面に平行な磁場を形成する磁場発生手段と、前記磁場発生手段により平行磁場が形成できない領域上に配置されるマスクとを有することを特徴とする中性粒子加工装置。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23F 4/00
, H01L 21/302
, H05H 1/46
