特許
J-GLOBAL ID：200903024335071770
高密度回路基板のビアホールの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-028742
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240581
出願日： 1994年02月28日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：
【要約】【構成】 エマルジョンによって大径ビアホールのパターンを形成している厚膜印刷用スクリーンによって厚膜誘電体ペーストを回路基板上に印刷した後、大径ビアホールおよび小径ビアホールのパターンを形成してあるガラスマスク原版を介して紫外線を照射し、酢酸ブチルまたはエステル系溶媒を現像溶媒とし、ノルマルヘキサンまたはキシレンまたはベンゼンを現像抑制溶媒とした混合液を現像剤として使用して現像する。【効果】 オゾン層を破壊しないために地球環境を保全しながら、アルミナ粉やガラスフリットが残留しないために品質がよく、しかも小さな寸法のビアホールと大きな寸法のビアホールとを同一層内に形成できるために高密度実装が可能な回路基板を製造することが可能になる。
請求項（抜粋）：
上部配線層と下部配線層とを接続するために同一層内に電源用ビアホールや放熱用ビアホール等の直径または長径または一辺の長さが大きな大径ビアホールと信号パターンに使用するための信号用ビアホール等の直径または長径または一辺の長さが小さな小径ビアホールとを有する高密度多層回路基板のビアホールの形成方法であって、エマルジョンによって前記大径ビアホールのパターンを形成している厚膜印刷用スクリーンによって感光性樹脂を含む厚膜誘電体ペーストを回路基板上に印刷した後、前記大径ビアホールおよび前記小径ビアホールのパターンを形成してあるガラスマスク原版を介して紫外線を照射し、酢酸ブチルまたはエステル系溶媒を現像溶媒としノルマルヘキサンまたはキシレンまたはベンゼンを現像抑制溶媒とした混合液を現像剤として使用して現像すること含むことを特徴とする高密度回路基板のビアホールの形成方法。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
