液晶表示素子

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：芝野正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-296192
公開番号（公開出願番号）：特開2004-134504
出願日： 2002年10月09日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：

【課題】本発明は、薄膜トランジスタをアクティブ素子として用い、ソース電極とドレイン電極の形状、及び電極幅を工夫することにより、寄生容量の変動を抑制する液晶表示素子を提供することを目的とする。【解決手段】TFT1は、ボトムゲート構造を有する逆スタガ型構造となっており、ソース電極4は、ドレイン電極5を先端部5a側から受け入れるための2個の凹部4aを有するH型形状をしている。ソース電極4は連結部7によりソース電極線2へと接続されている。ドレイン電極5は細長形状をしており、ソース電極4に形成された2ヶ所の凹部4aに2方向から挿入する形で形成されている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1の絶縁基板上でゲート電極、半導体層、ソース電極及びドレイン電極、及び絶縁膜から構成される薄膜トランジスタを、ゲート電極線、及びソース電極線の交点付近に配置してマトリックス状にし、前記第1の絶縁基板と、前記第1の絶縁基板に対向して設けられ、共通電極が形成された第2の絶縁基板との間に液晶を狭持してなる液晶表示素子において、前記ソース電極と前記ドレイン電極は前記ソース電極線の長手方向に沿って並べられ、かつ、前記ソース電極は2個の凹部を有するH型形状をしており、前記ドレイン電極は前記2個の凹部に2方向から挿入される細長形状であることを特徴とする液晶表示素子。

IPC (2件)：

H01L29/786 , G02F1/1368

FI (4件)：

H01L29/78 616T , G02F1/1368 , H01L29/78 617K , H01L29/78 618C

Fターム (39件)：

2H092JA26 , 2H092JA38 , 2H092JA42 , 2H092JA47 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092NA01 , 2H092NA21 , 2H092NA23 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE24 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF28 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG23 , 5F110GG45 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK33 , 5F110HL07 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110NN02 , 5F110NN24 , 5F110NN44 , 5F110NN46 , 5F110NN47 , 5F110NN72

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平2-285326
トランジスタ及びそれを備える表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-300780 出願人：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社

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