特許

J-GLOBAL ID：200903068779152951

トランジスタ及びそれを備える表示装置

発明者： 森田 聡 ,  小林 修 ,  小田 幸平
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社 ,  鳥取三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-300780
公開番号（公開出願番号）：特開2002-190605
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：

【要約】【目的】 トランジスタの寄生容量の変動を抑制し、表示装置の画質均一化に寄与する構造を提供する。【構成】 ゲート電極5に半導体層7を介在してソース電極9とドレイン電極10を対向配置したトランジスタ1であって、前記ドレイン電極10は棒状に形成し、前記ソース電極9は細長形状とするとともに前記ドレイン電極10と対向する側に前記ドレイン電極10の先端10aを受け入れる凹部9aを形成している。さらに半導体層7は一部分がゲート電極5からはみ出し、そのはみ出し部分は平面的に見てゲート電極5と重なっていないソース電極9及びドレイン電極10に位置すると共にソース電極9に位置するはみ出し部分とドレイン電極10に位置するはみ出し部分がゲート電極5に遮られて互いに独立する。

請求項（抜粋）：

ゲート電極に半導体層を介在してソース電極とドレイン電極を対向配置したトランジスタであって、前記ドレイン電極は棒状に形成し、前記ソース電極は細長状とすると共に前記ドレイン電極と対向する側に前記ドレイン電極の先端を受け入れる凹部を形成し、前記半導体層は一部分が前記ゲート電極からはみ出し、そのはみ出し部分は平面的に見て前記ゲート電極と重なっていない前記ソース電極及び前記ドレイン電極に位置すると共に前記ソース電極に位置するはみ出し部分と前記ドレイン電極に位置するはみ出し部分が前記ゲート電極に遮られて互いに独立することを特徴とするトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 29/41

FI (3件)：

G02F 1/1368 ,  H01L 29/78 616 T ,  H01L 29/44 F

Fターム (27件)：

2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA42 ,  2H092JA44 ,  2H092NA23 ,  4M104AA09 ,  4M104CC01 ,  4M104FF11 ,  4M104GG20 ,  5F110AA02 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110HL07 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110NN02 ,  5F110NN24 ,  5F110NN72

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-285326
  
• 薄膜トランジスタおよびそれを備えた液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-372182   出願人：株式会社フロンテック
• 特開昭60-189969
  
• 特開昭64-082674