特許
J-GLOBAL ID:200903024346496900

有機半導体素子およびこれを備えた表示素子

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-222180
公開番号(公開出願番号):特開2007-042685
出願日: 2005年07月29日
公開日(公表日): 2007年02月15日
要約:
【課題】 印刷等で簡便に作製可能な非線形有機半導体素子、並びにそれを画素制御に用いた表示素子の提供することを目標とする。【解決手段】 基板上に第1電極層、有機半導体層、第2電極層が順次積層されて積層体をなしており、第1電極層と有機半導体層の界面、もしくは第2電極層と有機半導体層の界面の一方にショットキー接合が形成され、もう一方にオーミック接合が形成される有機半導体素子において、特に有機半導体層が2層の有機半導体層からなり、オーミック接合側の有機半導体層にキャリアドープを行うことにより、耐電圧性が高い非線形有機半導体素子を得た。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
第1電極層、有機半導体層、第2電極層が順次積層されており、第1電極層と有機半導体層の界面、もしくは第2電極層と有機半導体層の界面の一方にショットキー接合が形成され、もう一方にオーミック接合が形成され、該有機半導体層が2層以上の有機半導体層からなる有機半導体素子。
IPC (4件):
H01L 51/05 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (3件):
H01L29/28 100A ,  H01L29/91 G ,  H01L29/48 D
Fターム (14件):
4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD51 ,  4M104GG03
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 有機半導体デバイス
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2003-127299   出願人:独立行政法人産業技術総合研究所

前のページに戻る