有機半導体デバイス

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-127299
公開番号（公開出願番号）：特開2004-335610
出願日： 2003年05月02日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：

【課題】良好な特性を有するn型有機半導体を提供できるようにして、良好な特性を有する有機半導体太陽電池を提供できるようにする。【解決手段】ガラス基板15上にITO電極13、MEH-PPV薄膜11などからなるp型有機半導体層、C60(フラーレン)薄膜12などからなるn型有機半導体層を形成し、その上にMgAg電極14を形成する。MgAg電極14からMgが、C60薄膜12へ拡散することにより良好な特性のn型有機半導体が得られる。MgAg電極14に代えて、Mg薄膜とAl層とを積層した電極を用いてもよい。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

n導電型の有機半導体層を有する半導体デバイスにおいて、前記n導電型の有機半導体層にはMgがドーパントとして含まれており、かつ、ドーパントであるMgは前記n導電型の有機半導体層の一方の面に形成されたMgを含む材料から構成されるn極電極からドープされたものであることを特徴とする半導体デバイス。

IPC (5件)：

H01L31/04 , H01L21/28 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L51/00

FI (4件)：

H01L31/04 D , H01L21/28 301B , H01L29/48 D , H01L29/28

Fターム (16件)：

4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB09 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD34 , 4M104GG05 , 5F051AA11 , 5F051AA16 , 5F051CB13 , 5F051DA05 , 5F051FA04 , 5F051FA06 , 5F051GA03

引用特許：

審査官引用 (13件)

光電変換素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-166790 出願人：出光興産株式会社
切替え可能な光電感度を有する有機ダイオード
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-529759 出願人：ユニアックスコーポレイション
特開昭61-054662

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