特許

J-GLOBAL ID：200903024365650448

半導体装置および製造方法

発明者： 田子 雅基
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 堀 城之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-375353
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164761
出願日： 1998年11月27日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、チップと配線層との接続部やパッケージと実装基板との接続部に集中する応力の緩和や実装信頼性の向上を図ることができる半導体装置および製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 チップ1と外部接続端子に接続するための配線層4との接続部に、弾性率の低い低弾性樹脂層3を使用し、低弾性樹脂層3上に形成された配線層4とチップ1上の電極2とをバネ性のあるボンディングワイヤ6を用いてワイヤーボンド接続することで接続部に加わる応力集中を緩和する接続構造。

請求項（抜粋）：

外部端子と電気的導通を得るための半田ボールを備えたチップサイズパッケージタイプの半導体装置であって、半導体素子が形成されているチップ上に形成されたワイヤーボンド接続用のチップ電極と、配線層と前記半田ボールとの接続部の少なくとも下部付近であって前記チップ上に、当該接続部に加わる応力集中を緩和できる程度に低い弾性率を示す樹脂を使用して所定の厚さに形成され、前記半導体素子と配線との接続を得るためのビアホールが穿孔された低弾性樹脂層と、前記低弾性樹脂層上に形成され、前記半田ボールと電気的導通を得るための配線層と、前記低弾性樹脂層上に形成され、前記半田ボールが接続されるランドと、前記配線層と前記チップ電極とを、バネ性のあるワイヤーボンド接続するためのボンディングワイヤとを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/60 301

FI (2件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 21/60 301 A

Fターム (2件)：

5F044AA03 ,  5F044JJ03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-022858   出願人：新光電気工業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-185913   出願人：富士通株式会社