特許
J-GLOBAL ID：200903024371228227
プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人第一国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-022112
公開番号（公開出願番号）：特開2006-210726
出願日： 2005年01月28日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：
【課題】 静電吸着方式を用いたプラズマを用いる処理装置において、プラズマ電位の上昇を防ぎ、異常放電の発生を阻止する。【解決手段】 真空室110内にプラズマ106を発生させる高周波源101と、試料107に高周波バイアス電力を印加する高周波源115と、静電吸着電極114を有する試料台108と、静電吸着電圧を前記電極に印加する直流電源113とを有するプラズマ処理装置において、プラズマ電位の上昇を抑制するために、静電吸着電圧を高周波バイアス電力のピークトゥーピーク電圧の4分の1から2分の1の電位分負側に移行する制御する制御手段を備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
真空室内にプラズマを発生させる第1の高周波源と、試料に高周波バイアス電力を印加する第2の高周波源と、前記試料を静電吸着させる静電吸着電極を有する試料台と、静電吸着電圧を前記電極に印加する直流電源とを有するプラズマ処理装置のプラズマ処理方法において、
前記プラズマのプラズマ電位の上昇を抑制するために、前記静電吸着電圧を負側に変化させることを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (4件)：
H01L 21/306
, H01L 21/683
, H05H 1/00
, H05H 1/46
H01L21/302 101G
, H01L21/68 R
, H05H1/00 A
, H05H1/46 A
5F004AA06
, 5F004BB22
, 5F004CA03
, 5F004CA06
, 5F004DA00
, 5F004DA26
, 5F031CA02
, 5F031HA16
, 5F031HA19
, 5F031MA28
, 5F031MA32
, 5F031NA11
, 5F031PA26
