特許
J-GLOBAL ID：200903024386744019

半導体素子の製造方法および半導体素子

発明者：
山本 裕記

山本 裕記 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について

, 
三洋電機コンシューマエレクトロニクス株式会社

三洋電機コンシューマエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： ▲角▼谷 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-307122
公開番号（公開出願番号）：特開2009-130324
出願日： 2007年11月28日
公開日（公表日）： 2009年06月11日
要約：
【課題】加工精度を向上させるとともに、半導体素子が損傷するのを抑制することが可能な半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】この発光ダイオードアレイ1(半導体素子)の製造方法は、半導体基板2の主表面2a側にスクライブ溝2gを形成する工程と、半導体基板2のスクライブ溝2gが形成される位置の裏面2b側に、幅W3を有するダイシング溝2fを形成する工程と、半導体基板2の裏面2b側に形成されたダイシング溝2fの内部に、幅W3よりも小さい幅W4を有する分割溝2hをレーザ加工により形成する工程と、半導体基板2をスクライブ溝2gに沿って分割(劈開)する工程とを備えている。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
基板の主表面側にスクライブ溝を形成する工程と、 前記基板の前記スクライブ溝が形成される位置の裏面側に、第1の幅を有する第1分割溝を形成する工程と、 前記基板の裏面側に形成された前記第1分割溝の内部に、前記第1の幅よりも小さい第2の幅を有する第2分割溝をレーザ加工により形成する工程と、 前記基板を前記スクライブ溝に沿って分割する工程とを備えることを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/301 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
H01L21/78 R ,  H01L21/78 B ,  H01L33/00 Z
Fターム (4件)：
5F041AA41 ,  5F041CA76 ,  5F041CB22 ,  5F041DB07
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体基板の分割方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-392814   出願人：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社
  • 半導体チップの製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-090304   出願人：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社

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