特許
J-GLOBAL ID：200903024441146240
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-082907
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116113
出願日： 1996年04月04日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：
【要約】【課題】DRAMなどのメモリセルとロジックなどの回路とを搭載した半導体装置において、メモリセルのデータ保持特性を劣化させることなくメモリセル以外の回路を高速化し得た半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁層で回路用電界効果型トランジスタを覆った後、メモリセルを形成し、メモリセル形成後、回路用電界効果型トランジスタの拡散層表面を露出させ、そして露出した回路用電界効果型トランジスタの拡散層表面に被覆導電層を形成する。
請求項（抜粋）：
メモリセルを構成するメモリ用電界効果型トランジスタとメモリセル以外の回路を構成する回路用電界効果型トランジスタとを同一基板に形成してなる半導体装置において、該回路用電界効果型トランジスタの拡散層表面の一部又は全部に被覆導電層を有し、該メモリ用電界効果型トランジスタの拡散層には該被覆導電層を有しないことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 27/10 681 F
, H01L 27/10 621 C
