特許
J-GLOBAL ID：200903024446637608
情報記憶デバイスと、この情報記憶デバイスを用いた情報記憶・再生方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-162497
公開番号（公開出願番号）：特開2004-064062
出願日： 2003年06月06日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：
【課題】高集積で不揮発性の新規情報記憶デバイスと、この情報記憶デバイスを用いた情報の記憶・再生方法を提供する。【解決手段】異性化反応により可逆的に分子構造が変化し、該異性化反応のうち少なくとも1反応が電気的なキャリア注入により生じ、かつ該異性化反応の前後で電気的特性が変化する、双安定性分子を含む層3を有する情報記憶デバイス。この双安定性分子含有層3に対して、電気的なキャリア注入を行い、双安定性分子に異性化反応を起こすことにより情報を記憶し、電圧を印加し、情報記憶前後の電流値の変化を検出することにより情報を再生する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
異性化反応により可逆的に分子構造が変化し、該異性化反応のうち少なくとも1反応が電気的なキャリア注入により生じ、かつ該異性化反応の前後で電気的特性が変化する、双安定性分子を含む層を有することを特徴とする情報記憶デバイス。
IPC (4件)：
H01L27/10
, C09K9/02
, G11C13/02
, H01L51/00
H01L27/10 451
, C09K9/02 B
, G11C13/02
, H01L29/28
