特許

J-GLOBAL ID：200903024469630791

半導体装置の製造方法

発明者： 増田 秀顯 ,  伊高 利昭 ,  宮島 秀史
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (2件)： 松山 允之 ,  池上 徹真
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-031811
公開番号（公開出願番号）：特開2009-194072
出願日： 2008年02月13日
公開日（公表日）： 2009年08月27日
要約：

【目的】パターン密度の違いによるエッチング差を抑制する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上にポロジェン材料を含む絶縁膜を形成する工程(S104)と、前記絶縁膜に含まれる前記ポロジェン材料の一部を除去する工程(S106)と、前記ポロジェン材料の一部が除去された前記絶縁膜に前記絶縁膜の底部を残すように開口部を形成する工程(S112)と、前記絶縁膜に含まれる前記ポロジェン材料の残部を除去する工程(S114)と、前記開口部の前記底部をエッチングする工程(S116)と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基体上にポロジェン材料を含む絶縁膜を形成する工程と、 前記絶縁膜の下面側部分が上面側部分よりも前記ポロジェン材料の濃度が相対的に濃くなるように、前記絶縁膜に含まれる前記ポロジェン材料の一部を除去する工程と、 前記ポロジェン材料の一部が除去された前記絶縁膜に前記絶縁膜の底部を残すように開口部を形成する工程と、 前記絶縁膜に含まれる前記ポロジェン材料の残部を除去または重合させる工程と、 前記ポロジェン材料の残部を除去または重合させた後に前記開口部の前記底部をエッチングする工程と、 を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/316 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/56

FI (10件)：

H01L21/90 A ,  H01L21/312 C ,  H01L21/312 N ,  H01L21/318 M ,  H01L21/318 B ,  H01L21/316 G ,  H01L21/316 X ,  H01L21/316 P ,  C23C16/42 ,  C23C16/56

Fターム (82件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030BA44 ,  4K030BA48 ,  4K030BB05 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030FA03 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK07 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ76 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033SS03 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033XX00 ,  5F033XX24 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AF02 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG04 ,  5F058AG09 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BC10 ,  5F058BC20 ,  5F058BD02 ,  5F058BD16 ,  5F058BD18 ,  5F058BD19 ,  5F058BF02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF26 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BH01 ,  5F058BH12 ,  5F058BH17 ,  5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 電子デバイス製造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-329879   出願人：ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー.