特許

J-GLOBAL ID：200903024470352428

透明酸化物p-n接合ダイオード

発明者： 細野 秀雄 ,  植田 和茂 ,  太田 裕道 ,  平野 正浩
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団 ,  太田 裕道
代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-054382
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261294
出願日： 2001年02月28日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】 これまで、n型ないしp型を示す透明酸化物半導体は、知られていたが、同一結晶中でp型とn型の半導体特性が得られる透明酸化物が存在しなかったため、透明な酸化物p-nホモ接合ダイオードを形成することができなかった。ホモ接合では、原理的に結晶格子間のミスマッチが存在しないために、格子歪のない良質な接合を形成することができる。【構成】 p-n伝導性制御可能な透明酸化物薄膜を用いることを特徴とする透明酸化物p-nホモ接合ダイオード。透明酸化物としてはデラフォサイト型のCuInO2を用いることができる。Inサイトの一部をCaイオンで元素置換することによりp型CuInO2を、Inサイトの一部をSnイオンで元素置換することによりn型CuInO2を製造する。

請求項（抜粋）：

p-n伝導性制御可能な透明酸化物薄膜を用いることを特徴とする透明酸化物p-nホモ接合ダイオード。

IPC (3件)：

H01L 29/86 ,  H01L 29/861 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 29/86 F ,  H01L 29/86 A ,  H01L 33/00 A ,  H01L 29/91 F

Fターム (6件)：

5F041CA02 ,  5F041CA21 ,  5F041CA46 ,  5F041CA67 ,  5F041CB13 ,  5F041FF16

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 導電性透明酸化物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-086599   出願人：科学技術振興事業団
• マトリックス表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-030001   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 半導体積層薄膜、電子デバイスおよびダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-030000   出願人：ティーディーケイ株式会社, 川副博司

審査官引用 (1件)

• 導電性透明酸化物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-086599   出願人：科学技術振興事業団