特許

J-GLOBAL ID：200903024492529828

半導体集積回路装置

発明者： 秋田 晋一 ,  小笠原 健一 ,  伊理 哲郎
出願人/特許権者： 新日本無線株式会社
代理人 (1件)： 長尾 常明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-050339
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222640
出願日： 1995年02月16日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】 ラッチアップを防止する。【構成】 スタンダードセルS1の上辺においてN形基板1に電源用導体6とコンタクトをとるためのN形高濃度領域21を設け、下辺においてP形ウエル2にグランド用導体7とのコンタクトをとるためのP形高濃度領域22を設けて、セル列内の複数のスタンダードセルS1において、これら高濃度領域21相互間、高濃度領域22相互間を連続させる。

請求項（抜粋）：

スタンダードセル方式により設計される半導体集積回路装置であって、スタンダードセルの高さ方向の一方の辺において、基板内に該基板と同一導電形の第1の高濃度領域を形成し、該高濃度領域を上層の第1の電源用導体とコンタクトで接続し、上記スタンダードセルの高さ方向の他方の辺において、ウエル内に該ウエルと同一導電形の第2の高濃度領域を形成し、該第2の高濃度領域を上層の第2の電源用導体とコンタクトで接続し、上記第1および第2の高濃度領域をセル列方向に隣接するスタンダードセル間で連続させたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 21/82 ,  H01L 27/08 331

FI (2件)：

H01L 21/82 B ,  H01L 27/08 331 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• マスタスライス型半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-185156   出願人：日本電気株式会社
• 特開平1-232741
  
• 特開平1-232741