MOS型電界効果トランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-136302
公開番号（公開出願番号）：特開平6-350084
出願日： 1993年06月08日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【目的】フィールドオフセット構造のMOSFETのドレイン領域のチャネル領域側に設けられる低不純物濃度領域に静電気により流れる電流による接合破壊を防止する。【構成】チャネルの形成されるベース層とドレイン領域との耐圧を、ベース層の不純物濃度の調整あるいはドレイン領域に接するベース層表面層の不純物濃度の調整によりMOSFET耐圧より低くすることによって静電気による電流が低不純物濃度領域を通らないでベース層に流れるようにする。あるいは、ベース層の高不純物濃度の露出表面層と三辺で対向するドレイン・ソース層をドレイン領域として用い、静電気による電流の多くがその間に流れるようにする。

請求項（抜粋）：

第一導電形のベース層の表面層にチャネル領域をはさんで設けられる第一導電形のソース・ドレイン層が、少なくともソース・ドレイン電極の接触する高不純物濃度の第一領域と、チャネル領域に近接した低不純物濃度の第二領域とを有するものにおいて、第一領域とベース層との間の接合が平面型接合でその耐圧がドレイン・ソース間耐圧より低いことを特徴とするMOS型電界効果トランジスタ。

引用特許：

審査官引用 (19件)

特開昭57-083060
特開昭59-151468
特開平2-126645

全件表示

前のページに戻る