特許
J-GLOBAL ID：200903024503273146
太陽電池の製造方法及びそれに用いるカルコパイライト半導体薄膜の処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-111668
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306945
出願日： 1995年05月10日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：
【要約】【目的】 ハロゲン元素を含むガスを用いてカルコパイライト半導体薄膜の表面処理を行うことにより、KCN溶液を用いず安全に、かつ低コストでカルコパイライト半導体薄膜太陽電池を得る。【構成】 ガラス基板1上に下部電極2としてMoをスパッタリングによって形成し、Cu過剰のCuInS2薄膜3を多元蒸着法で形成したあと、基板ホルダー7に設置し、ガス供給源11よりガス流量制御装置10及びガス噴出口9を経てBCl3ガスを容器内6に導入し、基板加熱ヒーター8によって基板ホルダー7を150〜200°Cに保ちながら、30分間CuInS2薄膜を処理すると、CuInS2薄膜と混在しているCuSが取り除かれる。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に下部電極を形成し、I族元素が過剰なI-III-VI2型カルコパイライト半導体薄膜を形成し、ハロゲン元素を含むガスに前記薄膜を暴露し、前記カルコパイライト半導体薄膜上に接合形成のための窓層を形成し、透光性の上部電極を形成するカルコパイライト半導体薄膜太陽電池の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 E
, H01L 21/302 Z
