特許

J-GLOBAL ID：200903024984989034

カルコパイライト構造半導体薄膜とその製造方法及び薄膜太陽電池ならびに発光装置

発明者： 根上 卓之 ,  西谷 幹彦 ,  古曳 重美 ,  和田 隆博
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-025287
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244442
出願日： 1993年02月15日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】 I 族,III 族及びVI族元素からなるカルコパイライト構造半導体堆積薄膜にドーパントとしてVII 族元素またはVII 族元素を含ませることにより、構成元素の組成が化学量論比でありかつpn伝導形並びにキャリア密度等の電気特性を制御したカルコパイライト薄膜を作製する。【構成】 基板上にカルコパイライト薄膜を堆積する場合に、蒸着源2、3、4からのカルコパイライト薄膜の主元素と同時に蒸着源5からVII 族元素を含む化合物を蒸着し、n形カルコパイライト構造半導体薄膜を作製する。また、基板上にカルコパイライト構造半導体薄膜を成膜した後、基板を加熱して、蒸着源5からVII 族元素を含む化合物を蒸発させカルコパイライト構造半導体薄膜中にVII 族元素を拡散させる。

請求項（抜粋）：

I 族,III 族及びVI族元素からなるカルコパイライト構造半導体堆積薄膜であって、前記薄膜がドーパントとしてVII 族元素を含むことを特徴とするカルコパイライト構造半導体薄膜。

IPC (4件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/363 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• カルコパイライト薄膜の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-186078   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開昭53-097496
  
• 特開平4-277682
  
• 光起電力素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-158812   出願人：キヤノン株式会社