特許
J-GLOBAL ID：200903024532103071
カーボンナノチューブ形成装置およびカーボンナノチューブ形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-028763
公開番号（公開出願番号）：特開2009-184892
出願日： 2008年02月08日
公開日（公表日）： 2009年08月20日
要約：
【課題】高品質なカーボンナノチューブを高いスループットにて形成することができるカーボンナノチューブ形成技術を提供する。【解決手段】真空チャンバ10にはラジカルビーム照射部50およびナノ粒子ビーム照射部70が設けられている。基板Wは基板保持部30によって保持されている。ナノ粒子ビーム照射部70から触媒となる金属のナノ粒子のビームを基板Wに照射して触媒形成を行う。その後、ラジカルビーム照射部50にて原料ガスからプラズマを発生させ、生成された中性ラジカル種のビームを基板Wに照射してカーボンナノチューブを成長させる。ラジカルビーム照射部50にはアパーチャ59が設けられているため、プラズマ発生に伴う圧力が高かったとしても、真空チャンバ10内を10-5Torr〜10-3Torrの比較的高い真空度に維持し続けることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上にカーボンナノチューブを成長させるカーボンナノチューブ形成装置であって、
基板を収容する真空チャンバと、
前記真空チャンバ内を所定の真空度に維持する真空排気手段と、
前記真空チャンバ内にて基板を保持する保持手段と、
炭素を含有する原料ガスからプラズマを発生させ、そのプラズマより中性のラジカル種を前記保持手段に保持された基板に照射するラジカルビーム照射手段と、
を備えることを特徴とするカーボンナノチューブ形成装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (23件)：
4G146AA11
, 4G146AB07
, 4G146AD22
, 4G146AD30
, 4G146BA11
, 4G146BA12
, 4G146BA48
, 4G146BB22
, 4G146BB23
, 4G146BC09
, 4G146BC16
, 4G146BC27
, 4G146BC32B
, 4G146BC38B
, 4G146BC42
, 4G146BC43
, 4G146DA03
, 4G146DA27
, 4G146DA30
, 4G146DA35
, 4G146DA43
, 4G146DA47
, 4G146DA48
