特許
J-GLOBAL ID：200903005251396300

カーボンナノチューブの作製方法及びその方法を実施するプラズマCVD装置

発明者：
中野 美尚

中野 美尚 について

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平川 正明

平川 正明 について

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村上 裕彦

村上 裕彦 について


出願人/特許権者：
株式会社アルバック

株式会社アルバック について


代理人 (1件)： 特許業務法人エクシオ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-132893
公開番号（公開出願番号）：特開2005-350342
出願日： 2005年04月28日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：
【課題】 従来、プラズマCVD法によって、所定の基板表面にカーボンナノチューブを作製する場合、基板がプラズマによって加熱されることで、基板温度制御が困難で、低温でのカーボンナノチューブの作製に適さなかった。【解決手段】 真空チャンバ11に炭素含有の原料ガスを導入し、プラズマCVD法によって、カーボンナノチューブを基板S表面に気相成長させる際に、基板がプラズマPに曝されないようにプラズマを発生させ、加熱手段によって基板を所定温度に加熱し、プラズマで分解された原料ガスを基板表面に接触させて基板表面にカーボンナノチューブを成長させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
真空チャンバに炭素含有の原料ガスを導入し、プラズマCVD法によって、カーボンナノチューブを基板表面に気相成長させる際に、基板がプラズマに曝されないようにプラズマを発生させ、加熱手段によって基板を所定温度に加熱し、プラズマで分解された原料ガスを基板表面に接触させて基板表面にカーボンナノチューブを成長させることを特徴とするカーボンナノチューブの作製方法。
IPC (1件)：
C01B31/02
FI (1件)：
C01B31/02 101F
Fターム (16件)：
4G146AA11 ,  4G146AD29 ,  4G146BA12 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC26 ,  4G146BC27 ,  4G146BC32A ,  4G146BC33A ,  4G146BC33B ,  4G146BC38B ,  4G146BC44 ,  4G146DA16 ,  4G146DA21 ,  4G146DA31
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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