特許

J-GLOBAL ID：200903024546401342

薄膜サーミスタ及びその抵抗値調整方法

発明者： 伊藤 謙治 ,  田中 靖崇 ,  豊田 直 ,  田村 正一
出願人/特許権者： 石塚電子株式会社
代理人 (1件)： 瀧野 秀雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-282732
公開番号（公開出願番号）：特開2003-173901
出願日： 2002年09月27日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】【課題】 レーザーの照射熱による特性劣化や抵抗変動の小さい構造の薄膜サーミスタを提供すること。【解決手段】 薄膜サーミスタ10は、絶縁基板11と、該絶縁基板11の一主表面に形成された絶縁被膜13と、該絶縁被膜13上に互いに対向するように形成された一対の櫛歯状電極14a、15aと、該一対の櫛歯状電極14a、15aに各々接合された引出電極14,15と、該引出電極14,15の少なくともひとつから延設された抵抗値調整用金属パターン16と、該抵抗値調整用金属パターン16のトリミング用切断部16a、16b、16cと、該トリミング用切断部16a、16b、16cの一部と前記一対の櫛歯状電極14a、15aとを覆うように形成された感熱膜17A,17Bと、該感熱膜17A,17Bを覆う保護膜18を設けた構造のものである。

請求項（抜粋）：

絶縁基板と、該絶縁基板の一主表面に形成された絶縁被膜と、該絶縁被膜上に互いに対向するように形成された一対の櫛歯状電極と、該一対の櫛歯状電極に各々接合された引出電極と、該引出電極の少なくともひとつから延設された抵抗値調整用金属パターンと、該抵抗値調整用金属パターンのトリミング用切断部と、該トリミング用切断部の一部と前記一対の櫛歯状電極とを覆うように形成された感熱膜と、該感熱膜を覆う保護膜とからなることを特徴とする薄膜サーミスタ。

Fターム (8件)：

5E034BA09 ,  5E034BB08 ,  5E034BC01 ,  5E034DA02 ,  5E034DE01 ,  5E034DE04 ,  5E034DE07 ,  5E034DE14

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 電子部品及び電子部品製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-155018   出願人：ティーディーケイ株式会社
• サーミスタ素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-203070   出願人：松下電器産業株式会社