特許
J-GLOBAL ID:200903024555859629

パターン測定方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-305917
公開番号(公開出願番号):特開平11-142108
出願日: 1997年11月07日
公開日(公表日): 1999年05月28日
要約:
【要約】【課題】 測定試料の作成にさほどの時間を要することなく、レンズ収差や非対称照明を調べるためのパターン測定を短時間で正確に行う。【解決手段】 レンズ収差や非対称照明を調べるためのパターン測定方法において、ライン&スペースパターンを線対称に配置した第1のパターン54とその外側に線幅の太いラインパターンを線対称に配置した第2のパターン55を有するマスクパターンを基板上に転写する第1の工程と、第1のパターン54の一部を抽出するためのパターン56と第2のパターン55の全体を抽出するためのパターン57が線対称に配置されたマスクパターンを同じ基板上に重ねて転写する第2の工程と、第1の工程で形成された第2のパターン55の転写パターンの位置と、第1の工程で形成された第1のパターン54の転写パターンのうち第2の工程で抽出されたパターンの位置とをそれぞれを検出する第3の工程を有する。
請求項(抜粋):
複数の単位パターンが第1の直線の直交方向に等間隔に並び、且つこの第1の直線に対して実質的に線対称に配置された周期パターンからなるマスクパターンを基板上に転写する第1の工程と、第1の工程の前又は後に、前記周期パターンの中央部の所定数の単位パターンの少なくとも一部を取り除くための抜きパターンが前記基板上で第1の直線に対応する第2の直線に対して実質的に線対称に配置されたマスクパターンを前記基板上に転写する第2の工程と、第1の工程により形成された転写パターンの最外側の単位パターンの位置と、第1の工程により形成された転写パターンのうち第2の工程により取り除かれたパターンに隣接する最内側の単位パターンの位置とをそれぞれ検出する第3の工程とを含むことを特徴とするパターン測定方法。
IPC (3件):
G01B 11/00 ,  G03F 7/26 501 ,  H01L 21/027
FI (4件):
G01B 11/00 A ,  G03F 7/26 501 ,  H01L 21/30 502 V ,  H01L 21/30 516 A
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 収差計測方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-264660   出願人:株式会社ニコン

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