特許
J-GLOBAL ID：200903024562520858
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
花輪 義男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-317912
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135747
出願日： 1999年11月09日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：
【要約】【課題】 CSPと呼ばれる半導体装置において、柱状電極の上面に形成される酸化防止用の表面処理層の柱状電極の上面に対する接合強度を強くする。【解決手段】 ウエハ21上の接続パッド22の上面から絶縁膜23の上面の所定の箇所にかけて再配線31が形成され、再配線31の先端部の上面に柱状電極29が形成されている。また、ダイシングストリート26に対応する領域に格子状の補助配線32が形成されている。この場合、補助配線32は接続線33を介して再配線31に接続されている。そして、封止膜34を形成した後に、補助配線32、接続線33及び再配線31をメッキ電流路として電解メッキを行うことにより、柱状電極29の上面に酸化防止用の表面処理層35を形成する。この表面処理層35の柱状電極29の上面に対する接合強度は、単なる無電解メッキによって形成する場合と比較して、強くなる。
請求項（抜粋）：
ウエハ上に形成された複数のパッド部の各々に柱状電極を形成して、該柱状電極の周囲を封止膜で封止し、前記各柱状電極の上面に表面処理層を形成した後前記ウエハをダイシングする半導体装置の製造方法において、前記複数のパッド部を前記ウエハ上のダイシングストリートに対応する領域に形成した補助配線により接続し、前記パッド部上に前記柱状電極を形成して前記封止膜を形成し、次いで前記補助配線をメッキ電流路とした電解メッキによりまたは無電解メッキにより前記柱状電極の上面に前記表面処理層を形成し、この後、前記ウエハをダイシングストリートに沿ってダイシングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 23/12
, H01L 21/301
, H01L 21/60
H01L 23/12 L
, H01L 21/78 L
, H01L 21/92 602 F
, H01L 21/92 604 B
