特許
J-GLOBAL ID：200903081624944920
半導体装置の製造方法及び半導体装置製造用金型及び半導体装置及びその実装方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-010683
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079362
出願日： 1997年01月23日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：
【要約】【課題】本発明はチップサイズパッケージ構造を有した半導体装置の製造方法及び半導体装置製造用金型及び半導体装置に関し、半導体装置の製造効率及び信頼性の向上を図ることを目的とする。【解決手段】バンプ12が配設された複数の半導体素子11が形成された基板16を金型20のキャビティ28内に装着し、続いてバンプ12の配設位置に樹脂35を供給してバンプ12を封止し樹脂層13を形成する樹脂封止工程と、樹脂層13に覆われたバンプ12の少なくとも先端部を樹脂層13より露出させる突起電極露出工程と、基板16を樹脂層13と共に切断して個々の半導体素子11に分離する分離工程とを具備する。
請求項（抜粋）：
突起電極が配設された複数の半導体素子が形成された基板を金型内に装着し、続いて前記突起電極の配設位置に封止樹脂を供給して前記突起電極及び前記基板を前記封止樹脂で封止し樹脂層を形成する樹脂封止工程と、前記突起電極の少なくとも先端部を前記樹脂層より露出させる突起電極露出工程と、前記基板を前記樹脂層と共に切断して個々の半導体素子に分離する分離工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/301
, H01L 23/29
, H01L 23/31
H01L 21/78 F
, H01L 23/30 D
