同期型半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-121179
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333391
出願日： 1993年05月24日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】内部リフレッシュアドレスカウンタの機能をテストすることのできる動作モードを備えた同期型半導体記憶装置を提供する。【構成】同期型半導体記憶装置は、オートリフレッシュコマンドに従ってオートリフレッシュモードが指定されたことを検出するオートリフレッシュ検出回路(102)と、リフレッシュアドレスを発生するアドレスカウンタ(104)と、オートリフレッシュ検出信号とリフレッシュアドレスとに従ってメモリアレイ(152)のリフレッシュを実行するリフレッシュ実行部(150)と、オートリフレッシュ検出信号に従って所定時間経過後リフレッシュ実行部を不活性状態とする不活性化回路(154)と、カウンタチェックモード指示に従ってこの不活性化回路(154)を動作禁止状態とするカウンタチェックモード検出回路(156)と、プリチャージコマンドに応答して発生されるプリチャージ検出信号に従ってリフレッシュ実行部を不活性状態とする第2の不活性化回路(160)を含む。

請求項（抜粋）：

リフレッシュ動作が必要な複数のダイナミック型メモリセルを有しかつ一連のパルス列からなるクロック信号に同期して外部信号を取込む同期型半導体記憶装置であって、前記複数のダイナミック型メモリセルのうちリフレッシュされるべきメモリセルを指定するリフレッシュアドレスを発生するリフレッシュアドレス発生手段と、リフレッシュ指示に応答して、前記リフレッシュアドレス発生手段が発生するリフレッシュアドレスが指定するメモリセルのリフレッシュを行なうリフレッシュ手段と、前記リフレッシュ指示に応答して所定時間経過後前記リフレッシュ手段を不活性状態とする第1の不活性化手段と、前記リフレッシュ指示と異なる第1の動作モード指示に応答して前記第1の不活性化手段を動作禁止状態とする第2の不活性化手段と、第2の動作モード指示に応答して前記リフレッシュ手段を不活性状態とする第3の不活性化手段とを備える、同期型半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/408 , G11C 11/401

FI (2件)：

G11C 11/34 354 G , G11C 11/34 371 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-085220 出願人：株式会社東芝

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