特許
J-GLOBAL ID：200903024566882568
アクティブマトリクス型表示装置およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-271461
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098196
出願日： 1996年09月21日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：
【要約】【目的】 周辺駆動回路一体型のアクティブマトリクス液晶表示装置において、各回路に配置される薄膜トランジスタの特性を最適化する。【構成】 画素マトリクス部には、非自己整合プロセスを利用してオフセットゲイト領域134、136を形成した薄膜トランジスタを配置し、Nチャネルドライバー部には非自己整合プロセスと自己整合プロセスとを併用して低濃度不純物領域128と130を形成した薄膜トランジスタを配置し、Pチャンネルドライバー部には、自己整合プロセスによって形成された薄膜トランジスタを配置する。このようにすることで、各回路に必要とされる特性を備えた薄膜トランジスタをそれぞれ配置することができる。
請求項（抜粋）：
同一基板上に画素マトリクス部と周辺駆動回路部とを配置した構成を有し、前記画素マトリクス部にはオフセットゲイト領域を備えたNチャネル型の薄膜トランジスタが配置され、前記周辺駆動回路には、チャネル領域とドレイン領域との間にドレイン領域よりも低濃度にN型を付与する不純物がドーピングされた低濃度不純物領域を備えたNチャネル型の薄膜トランジスタが配置され、前記オフセットゲイト領域の一方に接してチャネル形成領域が配置され、前記オフセットゲイト領域の他方に接してドレイン領域が配置され、ていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 612 B
, H01L 29/78 616 A
, H01L 29/78 617 A
