半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-240646
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260442
出願日： 1993年08月31日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】【目的】写真製版技術によって形成し得る限界の最小寸法よりも小さい開口径寸法のコンタクトホールを形成する。【構成】半導体基板上に形成された層間絶縁膜8をエッチングマスクを用いて途中までエッチングすることによって開口8aを形成し、エッチングマスクを除去した後層間酸化膜8上にTEOS膜10を形成した後全面を異方性エッチングすることによってコンタクトホール11を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上に第1の膜を形成する工程と、前記第1の膜の一部表面を露出する開口を有するエッチングマスクを、前記第1の膜の上に形成する工程と、前記エッチングマスクを用いて前記第1の膜を選択的にエッチングすることにより、前記第1の膜からなる側壁と底壁とを有する第1の孔を形成する工程と、前記エッチングマスクを除去する工程と、前記第1の孔の側壁と底壁とを含む前記第1の膜の上に、前記第1の膜と同等の被エッチング特性を有する材料からなる第2の膜を形成することにより、前記第2の膜からなる側壁と底壁とを有し、かつ前記第1の孔の径よりも小さい径を有する第2の孔を形成する工程と、前記第1および第2の膜を異方的にエッチングすることにより、前記第2の孔の側壁と整合する側壁を有する第3の孔を形成する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 , H01L 21/283 , H01L 21/90 , H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 27/10 325 P , H01L 27/10 325 C

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭60-160653
特開平4-336464
特開平3-178129

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