特許

J-GLOBAL ID：200903024605696882

堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置

発明者： 森山 公一朗 ,  越前 裕 ,  宮本 祐介 ,  吉田 耕平 ,  吉野 豪人 ,  大利 博和 ,  保野 篤司 ,  金井 正博
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 長尾 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-350359
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181005
出願日： 1995年12月22日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】本発明は、成膜面に傷がつかないようにして歩留を向上させ、また、放電を安定化させて均質で均一な膜厚の堆積膜を連続的に形成することができる堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置を提供することを目的としている。【解決手段】本発明は、長手方向に連続的に搬送される帯状基板(以下ウェブと呼ぶ)を用いて、該ウェブを放電箱を備えた成膜チャンバー内で該放電箱の蓋を形成するように搬送し該ウェブに堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、前記放電箱の蓋を形成するウェブの横断形状を、強制的に任意の曲線形状に保持させて搬送し堆積膜を形成するようにしたことを特徴とすものである。

請求項（抜粋）：

長手方向に連続的に搬送される帯状基板(以下これをウェブと呼ぶ)を用いて、該ウェブを放電箱を備えた成膜チャンバー内で該放電箱の蓋を形成するように搬送し該ウェブに堆積膜を連続的に形成する堆積膜形成方法において、前記放電箱の蓋を形成するウェブの横断形状を、強制的に任意の曲線形状に保持させて搬送し堆積膜を形成するようにしたことを特徴とする堆積膜形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 F ,  C23C 16/50 ,  H01L 31/04 T

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 薄膜太陽電池及びその製造方法並びに半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-056745   出願人：三菱電機株式会社