特許

J-GLOBAL ID：200903024624177900

磁気再生記録ヘッドおよびその製造方法

発明者： ▲呉▼ 彦 ,  グレン ガーファンクル ,  李 民 ,  岩井 譲 ,  モリス ドベク
出願人/特許権者： ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 三反崎 泰司 ,  藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-114756
公開番号（公開出願番号）：特開2009-272031
出願日： 2009年05月11日
公開日（公表日）： 2009年11月19日
要約：

【課題】シールド層の磁気的安定性を改善することが磁気再生記録ヘッドを提供する。【解決手段】複合上部シールド層S2pは、FM層S2a-1およびFMサブ層16と、AFCT層17と、FMサブ層18およびFM層S2a-2と、AFM層20とがこの順に積層された構造を有する。AFM層19により、FM層S2a-1およびFMサブ層16とFMサブ層18およびFM層S2a-2とがAFCT層17を介して反強磁性的に結合されるため、複合上部シールド層S2pの磁気ドメインは、安定かつ強固に固定される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1反強磁性層を形成する工程と、 前記第1反強磁性層の上に第1強磁性サブシールド層を形成する工程と、 前記第1強磁性サブシールド層の上に、2つの強磁性サブシールド層によりRu層が挟まれた構造を有する第1反強磁性結合層を形成する工程と、 前記第1反強磁性結合層の上に第2強磁性サブシールド層を形成することにより、前記第1反強磁性層、前記第1強磁性サブシールド層、前記第1反強磁性結合層および前記第2強磁性サブシールド層を含む複合下部シールド層を形成する工程と、 前記複合下部シールド層の上に、ピンニング層、ピンド層、転移層、フリー層および長手バイアス層を含む磁気抵抗効果デバイスを形成する工程と、 前記磁気抵抗効果デバイスの上に第3強磁性サブシールド層を形成する工程と、 前記第3強磁性サブシールド層の上に、2つの強磁性サブシールド層によりRu層が挟まれた構造を有する第2反強磁性結合層を形成する工程と、 前記第2反強磁性結合層の上に第4強磁性サブシールド層を形成する工程と、 前記第4強磁性サブシールド層の上に第2反強磁性層を形成する工程と、 前記第2反強磁性層の上に保護層を形成することにより、前記第3強磁性サブシールド層、前記第2反強磁性結合層、前記第4強磁性サブシールド層、前記第2反強磁性層および前記保護層を含む複合上部シールド層を形成する工程と を含む磁気再生記録ヘッドの製造方法。

IPC (1件)：

G11B 5/39

FI (1件)：

G11B5/39

Fターム (5件)：

5D034BA03 ,  5D034BA12 ,  5D034BB09 ,  5D034CA04 ,  5D034DA07

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-103358   出願人：アルプス電気株式会社
• 特許第6456467号