特許

J-GLOBAL ID：200903024625631140

マスクROM

発明者： 清水 晃一郎
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-323977
公開番号（公開出願番号）：特開平7-182889
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【目的】 広い温度範囲、電圧範囲で安定に動作するマスクROMを得る。【構成】 本発明のマスクROMは、メモリセルのドレイン-ソースを順に列方向に接続し、メモリセルのゲートを行方向に接続して構成されたメモリセルアレーを有し、すべての列を列方向からプリチャージし、メモリセルの読み出しのときに生じる電圧の大小によってメモリセルに予め書き込まれたデータを判別し読み出すマスクROMであって、メモリセルの読み出しの際に、生じる電圧が常に大なるダミーセルと、メモリセルの読み出しの際に、ダミーセルで生じる電圧を分圧しリファレンス電圧を生成する分圧器と、メモリセルの読み出しのときに生じる電圧と、リファレンス電圧とを比較してメモリセルに書き込まれたデータを判別するセンスアンプとを備える。

請求項（抜粋）：

メモリセルをなす複数のFETをマトリクス状に配置し、列方向に配列された各FETのドレイン-ソースが順に接続され、行方向に配列された各FETのゲートが共通に接続されたメモリセルアレーを有し、メモリセルアレーの列方向からプリチャージし、その後アドレス情報をゲートに印加することによりアクセスすべきメモリセルがある列の配線上に生じる電圧が第1の値かこの第1の値よりも小さな第2の値かによって予め前記メモリセルに書き込まれたデータを判別し読み出すマスクROMにおいて、前記メモリセルのプリチャージの際に同時にプリチャージされ、読み出し時に生じる電圧が常に前記第1の値に相当する電圧になるダミーセルと、前記メモリセルの読み出し際に、前記ダミーセルで生じる電圧を分圧しリファレンス電圧を生成する分圧器と、前記メモリセルの読み出しのときに生じる電圧と、前記リファレンス電圧とを比較して前記メモリセルに書き込まれたデータを判別するセンスアンプとを備えたマスクROM。

IPC (3件)：

G11C 17/18 ,  H01L 21/8246 ,  H01L 27/112

FI (2件)：

G11C 17/00 306 B ,  H01L 27/10 433

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-181199
  
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-278334   出願人：株式会社日立製作所