特許
J-GLOBAL ID:200903024646651320

高周波モジュール基板装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小池 晃 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-278541
公開番号(公開出願番号):特開2003-087007
出願日: 2001年09月13日
公開日(公表日): 2003年03月20日
要約:
【要約】【課題】 スイッチングによってバンドパスフィルタの通過周波数特性を切替えるとともにいずれの通過周波数帯域においても最適なバンドパスフィルタ特性が奏されるようにする。【解決手段】 有機基板をコア基板5,6として最上層が平坦化されてビルドアップ形成面16を構成したベース基板部2と、ビルドアップ形成面上に積層形成した集中定数設計の高周波回路部3との間で薄膜キャパシタ18を構成し、スイッチ手段4を介して薄膜キャパシタの並列容量をベース基板部側に分布定数設計されたλ/4の周波数特性を有する結合器11に対して負荷切替を行うように構成してなる。
請求項(抜粋):
有機基板からなるコア基板の主面上に絶縁層を介して配線層が形成され、この配線層内に少なくともλ/4の周波数特性を有する片側短絡・片側開放型線路の結合器を含む分布定数回路パターンが形成されるとともに、最上層の主面が平坦化されてビルドアップ形成面を構成してなるベース基板部と、上記ベース基板部のビルドアップ形成面上に絶縁層を介して配線層が形成されるとともに、上記配線層内に上記分布定数回路パターンに対応して形成されて薄膜キャパシタを構成する集中定数回路パターン及び受動素子とを有する高周波回路部と、上記薄膜キャパシタと結合器とを層間接続する接続パターンに介挿され、これら薄膜キャパシタと結合器との電気的接続状態を切り替える選択スイッチ手段とを備え、上記選択スイッチ手段を介して上記薄膜キャパシタの上記結合器に対する並列容量の負荷状態の切り替えを行うことによって、バンド切替を行うことを特徴とする高周波モジュール基板装置。
IPC (6件):
H01P 1/203 ,  H01G 4/33 ,  H01P 1/205 ,  H01P 1/213 ,  H05K 3/46 ,  H04B 1/40
FI (8件):
H01P 1/203 ,  H01P 1/205 B ,  H01P 1/205 J ,  H01P 1/213 J ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 3/46 Z ,  H04B 1/40 ,  H01G 4/06 102
Fターム (42件):
5E082AB01 ,  5E082CC01 ,  5E082EE05 ,  5E082EE37 ,  5E082FG03 ,  5E082FG42 ,  5E346AA02 ,  5E346AA15 ,  5E346BB02 ,  5E346BB16 ,  5E346BB20 ,  5E346CC08 ,  5E346CC10 ,  5E346CC32 ,  5E346CC37 ,  5E346DD07 ,  5E346DD17 ,  5E346DD24 ,  5E346DD32 ,  5E346EE33 ,  5E346FF18 ,  5E346GG15 ,  5E346GG40 ,  5J006HB05 ,  5J006HB22 ,  5J006JA01 ,  5J006KA11 ,  5J006KA24 ,  5J006LA11 ,  5J006LA23 ,  5J006LA25 ,  5J006MA07 ,  5J006MA12 ,  5J006NA03 ,  5J006NE16 ,  5K011AA16 ,  5K011DA01 ,  5K011DA21 ,  5K011DA27 ,  5K011EA01 ,  5K011JA01 ,  5K011KA01
引用特許:
審査官引用 (3件)

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