特許

J-GLOBAL ID：200903024672219665

基板処理装置及び化学蒸着装置洗浄方法

発明者： マイケル・ディー・キルゴア ,  ウィルバート・ジー・エム・バンデンホーエック ,  クリストファー・ジェイ・ラウ ,  バート・ジェイ・バンシュラベンディック ,  ジェフリー・エイ・トビン ,  トーマス・ダブリュ・マウントシアー ,  ジェイムズ・シー・オズワルト
出願人/特許権者： ノベラス・システムズ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大島 陽一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-031788
公開番号（公開出願番号）：特開平9-249976
出願日： 1997年02月17日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】 堆積ガス注入管を洗浄を高い効率で行うことのできるプラズマCVD装置、及びラズマCVD装置の堆積ガス注入管の洗浄を高い効率で行う方法を提供する。【解決手段】 反応チャンバ(110)を有する基板処理装置(10)であって、前記反応チャンバは、基板(108)を支持するチャック(118)と、プロセスガス射出装置(128)と、前記プロセスガス射出装置とは別個の、前記チャックの上方の前記反応チャンバ内の空間に横方向かつ上向きに洗浄ガスの流れを向けるようにその姿勢が設定された洗浄ガスインジェクタ(129)とを有する。

請求項（抜粋）：

反応チャンバを有する基板処理装置であって、前記反応チャンバは、基板を支持するチャックと、プロセスガス射出装置と、前記プロセスガス射出装置とは別個の、前記チャックの上方の前記反応チャンバ内の空間に横方向かつ上向きに洗浄ガスの流れを向けるようにその姿勢が設定された洗浄ガスインジェクタとを有することを特徴とする基板処理装置。

IPC (5件)：

C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/31

FI (5件)：

C23C 16/44 J ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341 Z ,  H01L 21/31 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• プラズマ処理装置及び方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-264587   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開昭63-267430
  
• 特開昭63-267430
  
• 処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-296148   出願人：東京エレクトロン株式会社