配向性強誘電体薄膜素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西澤均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-278229
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086586
出願日： 2001年09月13日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：

【要約】【課題】基板上に高度に配向した強誘電体薄膜を備え、特性が良好で、低コストで製造することが可能な配向性強誘電体薄膜素子、及び該配向性強誘電体薄膜素子を効率よく製造することが可能な製造方法を提供する。【解決手段】基板1上に形成された導電性薄膜2上に形成されたPb系ペロブスカイト酸化物からなる強誘電体薄膜3とを具備する強誘電体薄膜素子において、導電性薄膜2を多結晶導電性薄膜とし、強誘電体薄膜3を、Pb系ペロブスカイト酸化物からなり、多結晶導電性薄膜2との界面から膜厚方向に向かって組成が変化する第1の強誘電体薄膜4と、第1の強誘電体薄膜4上に形成された、膜厚方向に向かって組成が一定の第2の強誘電体薄膜5とを備えているとともに、第1及び第2の強誘電体薄膜4,5が、c軸が基板1に対して垂直に1軸配向成長している構成とする。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成された導電性薄膜と、前記導電性薄膜上に形成されたPb系ペロブスカイト酸化物からなる強誘電体薄膜とを具備する強誘電体薄膜素子であって、前記導電性薄膜が導電性成分を多結晶成長させることにより形成された多結晶導電性薄膜であり、前記強誘電体薄膜が、ABO3で表されるAサイトの構成元素がPb又はPbに少なくともLaを含有させたものであり、Bサイトの構造元素がTi、Zr、Mg、及びNbからなる群より選ばれる少なくとも1種であるPb系ペロブスカイト酸化物から形成されており、かつ、前記導電性薄膜上に形成された、前記多結晶導電性薄膜との界面から膜厚方向に向かって組成が変化する第1の強誘電体薄膜と、前記第1の強誘電体薄膜上に形成された、膜厚方向に向かって組成が一定である第2の強誘電体薄膜を備えているとともに、前記第1の強誘電体薄膜と前記第2の強誘電体薄膜の境界部において前記第1の強誘電体薄膜と前記第2の強誘電体薄膜の組成がほぼ等しく、かつ、基板に対してc軸が垂直に1軸配向成長していることを特徴とする配向性強誘電体薄膜素子。

IPC (8件)：

H01L 21/316 , C01G 25/00 , C23C 16/18 , C23C 16/40 , H01L 27/105 , H01L 41/08 , H01L 41/18 , H01L 41/22

FI (8件)：

H01L 21/316 X , C01G 25/00 , C23C 16/18 , C23C 16/40 , H01L 27/10 444 C , H01L 41/18 101 Z , H01L 41/08 D , H01L 41/22 Z

Fターム (32件)：

4G048AA03 , 4G048AB01 , 4G048AC04 , 4G048AD02 , 4G048AD06 , 4G048AD08 , 4G048AE05 , 4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030AA16 , 4K030BA42 , 4K030BA46 , 4K030CA04 , 4K030CA05 , 4K030FA10 , 4K030HA02 , 4K030LA15 , 5F058BA11 , 5F058BB05 , 5F058BB06 , 5F058BD01 , 5F058BD05 , 5F058BF06 , 5F058BF29 , 5F058BF37 , 5F083FR01 , 5F083HA02 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083PR21 , 5F083PR22

引用特許：

審査官引用 (1件)

強誘電体薄膜素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-237033 出願人：株式会社村田製作所

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