特許
J-GLOBAL ID:200903024686002073
薄膜太陽電池の性能回復方法およびその性能回復装置
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-373865
公開番号(公開出願番号):特開2005-142180
出願日: 2003年11月04日
公開日(公表日): 2005年06月02日
要約:
【課題】 CuInGaSe2を光吸収層とするような薄膜太陽電池の劣化を回復できるようにして寿命を半永久化する。【解決手段】 太陽電池10が劣化したと思われるとき、太陽電池10をインバータ4から切り離し、測定装置6を接続して太陽電池10の劣化の程度を測定し、回復処理が必要であると判断された場合には、特性回復装置11を接続し、各セル1へ0.5mA/cm2から5mA/cm2の電流密度の順方向電流を流して回復処理を行う。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
薄膜太陽電池に順方向電流を通電することを特徴とする薄膜太陽電池の性能回復方法。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (8件):
5F051AA10
, 5F051BA17
, 5F051FA02
, 5F051FA06
, 5F051GA03
, 5F051JA07
, 5F051KA07
, 5F051KA08
引用特許:
出願人引用 (2件)
-
太陽電池付き構造物
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-360960
出願人:キヤノン株式会社
-
特開2000-000000号公報
審査官引用 (3件)
引用文献:
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