特許
J-GLOBAL ID：200903024719742035

半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
弓削 省三

弓削 省三 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (3件)： 大胡 典夫 ,  竹花 喜久男 ,  宇治 弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-304591
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079152
出願日： 2003年08月28日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
【課題】 発光効率の低下や素子寿命低下を抑制できる素子半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に エピ層115、グレーデッド層113、トラップ層112、グレーデッド層113、クラッド層111、MQW活性層110、クラッド層109,電流拡散層108、コンタクト層107、電流ブロック層106が順次形成され 、電流ブロック層106の上面側とGaP基板114の下面にそれぞれ電極116、117が形成されている発光素子において、グレーデッド層113は、In組成比とAl組成比を略直線的に変化させ、格子定数を徐々に変化させた組成式Zn-InxGayAl1-x-yP(x=0.5→0、y≠0、1-x-y=0.35→0)からなる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
GaP基板と、この基板上に接着され、In組成比とAl組成比を変化させて、格子定数を徐々に変化させた組成式InxGayAl1-x-yP(x=0.5→0、y≠0、1-x-y=0.35→0)で表されるグレーデッド層と、このグレーデッド層上に形成されたトラップ層と、このトラップ層上に形成された第1のクラッド層と、この第1のクラッド層上に形成された活性層と、この活性層上に形成された第2のクラッド層と、この第2のクラッド層上に形成された電流拡散層と、この電流拡散層上に形成されたコンタクト層と、このコンタクト層上に形成された電流ブロック層と、電極とを備えたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (1件)：
H01L33/00 B
Fターム (8件)：
5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA39 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041FF01
引用特許：
出願人引用 (2件)

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