特許

J-GLOBAL ID：200903058493724693

半導体発光素子

発明者： 尺田 幸男 ,  中田 俊次 ,  松本 幸生
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-059219
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256667
出願日： 1997年03月13日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】 AlGaInP系化合物半導体により発光層が形成され、ウインドウ層としてGaPが用いられる半導体発光素子において、ウインドウ層の膜質を低下させないで、発光効率が高く電気特性の優れた発光素子を提供する。【解決手段】 基板1と、該基板上にAlGaInP系化合物半導体からなりn形層およびp形層が積層され発光層を形成する発光層形成部11と、該発光層形成部の表面側に設けられるGaPからなるウインドウ層7とを備える半導体発光素子であって、前記発光層形成部と前記ウインドウ層との間に該発光層形成部とウインドウ層との格子歪を緩和するAlGaInP系化合物半導体からなるバッファ層6が介在されている。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上にAlGaInP系化合物半導体からなりn形層およびp形層が積層され発光層を形成する発光層形成部と、該発光層形成部の表面側に設けられるGaPからなるウインドウ層とを備える半導体発光素子であって、前記発光層形成部と前記ウインドウ層との間に該発光層形成部とウインドウ層との格子歪を緩和する(Alx Ga1-x )1-z Inz P(0≦x≦1、0≦z≦0.5)化合物半導体からなるバッファ層が介在されてなる半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-211229   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-066879   出願人：シャープ株式会社
• AlGaInP発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-342409   出願人：昭和電工株式会社