特許

J-GLOBAL ID：200903024724508822

熱処理方法及び熱処理システム

発明者： 長谷部 一秀 ,  熊谷 武司 ,  佐藤 昌一 ,  松永 正信 ,  桐生 秀樹 ,  仲野 哲也 ,  三浦 一敏
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-204501
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022110
出願日： 1998年07月03日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】 絶縁膜中の水分が悪影響を及ぼすことを防止して、例えばHSGポリシリコン膜を効果的に形成することができる熱処理方法を提供する。【解決手段】 水分を含む酸化膜上に部分的に形成されている不純物ドープドシリコン膜を有する被処理体に対してシリコンの核形成を行なってポリシリコン膜を形成するための熱処理を施すに際して、前記熱処理の直前に、前記被処理体を、前記水分を含む酸化膜から水分が脱離する温度以上であって、前記ドープドシリコン膜の表面に結合する水素が脱離する温度以下の温度範囲で加熱して前処理するようにする。これにより、例えばHSGポリシリコン膜を効果的に形成するようにする。

請求項（抜粋）：

微量な水分を含む酸化膜上に部分的に形成されているシリコン膜を有する被処理体に対して所定の熱処理を施すに際して、前記熱処理の直前に、前記被処理体を、前記微量な水分を含む酸化膜から水分が脱離する温度以上であって、前記シリコン膜の表面に結合する水素が脱離する温度以下の温度範囲で加熱して前処理するようにしたことを特徴とする熱処理方法。

IPC (5件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 27/10 621 B ,  H01L 21/302 N ,  H01L 27/04 C

Fターム (19件)：

5F004AA13 ,  5F004BA01 ,  5F004BB26 ,  5F004BB28 ,  5F004CA01 ,  5F004CA04 ,  5F004FA01 ,  5F038AC05 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ17 ,  5F083AD22 ,  5F083AD62 ,  5F083GA30 ,  5F083JA02 ,  5F083JA32 ,  5F083JA33 ,  5F083PR12 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-229918   出願人：日本電気株式会社