特許

J-GLOBAL ID：200903035641690396

半導体製造装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 渡辺 啓仁 ,  ▲廣▼田 俊幸 ,  善家 昌伸
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-229918
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074701
出願日： 1996年08月30日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】 HSG-Si膜等、ウェハー上に形成される膜の表面積増加率を向上させ得る半導体製造装置及び製造方法を提供することである。【解決手段】 層間絶縁膜及びパターン化されたアモルファスシリコンを備えたウェハー上に、HSG-Si膜を形成する前に、ウェハーをベーキングすることにより、層間絶縁膜等から発生する水分等の気体不純物を除去する。これによって、上記した気体不純物による自然酸化膜の生成を防止でき、結果として、表面増加率の高いHSG-Si膜が得られる。ベーキングは、HF水溶液等による自然酸化膜除去工程の後で、HSG-Si膜の形成前に行われても良いし、自然酸化膜除去工程の前に行われても良い。

請求項（抜粋）：

アモルファスシリコン層を備えたウェハーを使用し、前記アモルファスシリコン層に、半球状粒子(HSG)による凹凸を形成する半導体装置の製造方法において、前記凹凸を形成する工程前に、前記アモルファスシリコン層が結晶化しない温度で、前記ウェハーをべーキングする工程を有し、このべーキングする工程により、前記ウェハーから発生する気体不純物を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/324 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/02 Z ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 凹凸表面の形成方法および凹凸表面基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-279149   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-291687   出願人：富士通株式会社