特許

J-GLOBAL ID：200903024726987728

ドライエッチング方法

発明者： 堀 健一郎 ,  大島 由美子 ,  林 信孝 ,  平田 信治 ,  中西 努
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-113219
公開番号（公開出願番号）：特開2006-294846
出願日： 2005年04月11日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：

【課題】強誘電体膜のドライエッチング工程において、ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとし、高真空、高密度プラズマ下で強誘電体膜に高周波のバイアス電力を印加することにより側壁付着物のないドライエッチング方法を提供することを目的とする。【解決手段】ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとし、高真空、高密度プラズマ下で強誘電体膜に高周波のバイアス電力を印加する方法とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

強誘電体膜のドライエッチング方法において、ハロゲンガスと不活性ガスとの混合ガスをエッチング処理ガスとして用い、被エッチング体に高周波のバイアス電圧を印加し、ガス流量が50SCCM以上、ガス圧が0.1Pa〜1Paでエッチングを行うドライエッチング方法。

IPC (1件)：

H01L 21/306

FI (1件)：

H01L21/302 104Z

Fターム (11件)：

5F004AA09 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB18 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DB13 ,  5F004EB08

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平02-209728号公報
  
• 特開平04-369220号公報
  
• ドライエツチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-326970   出願人：国際電気株式会社
• ドライエッチングガスおよびそれを用いたドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-062851   出願人：松下電器産業株式会社